Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BS107P
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BS107P-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92
Hàng tồn kho:
1875 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12902970
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BS107P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
200 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
120mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.6V, 5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
30Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
-
Vgs (Tối đa)
±20V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Số sản phẩm cơ sở
BS107
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
BS107P-NDR
BS107
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXFN44N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B
ZXMP2120G4TA
MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
DMG1013UWQ-13
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
