Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMG1012UW-7
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMG1012UW-7-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Mô tả chi tiết:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Hàng tồn kho:
593095 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12884551
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMG1012UW-7 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
1A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.8V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±6V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
60.67 pF @ 16 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
290mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-323
Gói / Trường hợp
SC-70, SOT-323
Số sản phẩm cơ sở
DMG1012
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
DMG1012UW-7DICT
DMG1012UW7
DMG1012UW-7DIDKR
DMG1012UW-7DITR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMP2109UVT-13
MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
DMP2003UPS-13
MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
DMPH4015SPS-13
MOSFET P-CH 40V 50A PWRDI5060-8