Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMG3414UQ-7
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMG3414UQ-7-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 780mW Surface Mount SOT-23-3
Hàng tồn kho:
3023 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12884163
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
uk2W
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMG3414UQ-7 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.2A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.8V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
900mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
9.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
829.9 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
780mW
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-23-3
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
DMG3414
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
31-DMG3414UQ-7TR
31-DMG3414UQ-7DKR
31-DMG3414UQ-7CT
DMG3414UQ-7-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMP4025LSS-13
MOSFET P-CH 40V 6A 8SO
DMT6009LCT
MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
DMPH6050SFGQ-13
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
