Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMN10H220LVT-13
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMN10H220LVT-13-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 1.87A (Ta) 1.67W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Hàng tồn kho:
12883953
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMN10H220LVT-13 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
1.87A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
220mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±16V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
401 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.67W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TSOT-26
Gói / Trường hợp
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Số sản phẩm cơ sở
DMN10
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
10,000
Tên khác
DMN10H220LVT-13DI
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
DMN10H220LVT-7
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2779
DiGi SỐ PHẦN
DMN10H220LVT-7-DG
ĐƠN GIÁ
0.15
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMPH6050SK3-13
MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
DMN61D9UWQ-13
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
DMP3065LVT-7
MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26
