DMN3110SQ-7
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

DMN3110SQ-7

Product Overview

Nhà sản xuất:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Số hiệu phần:

DMN3110SQ-7-DG

Mô tả:

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 2.5A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Hàng tồn kho:

12979245
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

DMN3110SQ-7 Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
73mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
8.6 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
305.8 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
740mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-23-3
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
DMN3110

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
31-DMN3110SQ-7DKR
31-DMN3110SQ-7TR
31-DMN3110SQ-7CT

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
diodes

DMTH84M1SPS-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

diodes

DMNH6069SFVWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMTH31M7LPSQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506

fairchild-semiconductor

FCP25N60N-F102

MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3