Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMN4010LFG-7
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMN4010LFG-7-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333
Mô tả chi tiết:
N-Channel 40 V 11.5A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Hàng tồn kho:
1100 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12887762
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMN4010LFG-7 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
40 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
11.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
12mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1810 pF @ 20 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
930mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PowerDI3333-8
Gói / Trường hợp
8-PowerVDFN
Số sản phẩm cơ sở
DMN4010
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,000
Tên khác
DMN4010LFG-7DICT
DMN4010LFG-7DIDKR
DMN4010LFG-7DITR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
RQ3G100GNTB
NHÀ SẢN XUẤT
Rohm Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
112698
DiGi SỐ PHẦN
RQ3G100GNTB-DG
ĐƠN GIÁ
0.14
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
DMN4010LFG-13
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
DMN4010LFG-13-DG
ĐƠN GIÁ
0.17
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
ZVNL110GTA
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
DMN2028USS-13
MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
DMN13H750S-13
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23