DMN62D1LFB-7B
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

DMN62D1LFB-7B

Product Overview

Nhà sản xuất:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Số hiệu phần:

DMN62D1LFB-7B-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 320mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3

Hàng tồn kho:

160213 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12888905
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

DMN62D1LFB-7B Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
320mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.5V, 4V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
64 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
X1-DFN1006-3
Gói / Trường hợp
3-UFDFN
Số sản phẩm cơ sở
DMN62

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
10,000
Tên khác
DMN62D1LFB-7BDICT
DMN62D1LFB-7BDITR
DMN62D1LFB-7BDIDKR

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
diodes

DMN3009SFGQ-13

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333

diodes

DMN3009SFG-7

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333

nexperia

BUK7608-40B,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

diodes

DMT6004SCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3