Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMT10H9M9SCT
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMT10H9M9SCT-DG
Mô tả:
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 99A (Tc) 2.3W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
12978966
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMT10H9M9SCT Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
99A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
6V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.9V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.3W (Ta), 156W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
DMT10
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
31-DMT10H9M9SCT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMP610DLQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
DMT8008LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMT10H032SFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
