Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMT3009LFVWQ-13
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMT3009LFVWQ-13-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Hàng tồn kho:
12894528
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMT3009LFVWQ-13 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
12A (Ta), 50A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
3.8V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
823 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.3W (Ta), 35.7W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount, Wettable Flank
Gói thiết bị nhà cung cấp
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Gói / Trường hợp
8-PowerVDFN
Số sản phẩm cơ sở
DMT3009
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
DMT3009LFVWQ-7
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1290
DiGi SỐ PHẦN
DMT3009LFVWQ-7-DG
ĐƠN GIÁ
0.22
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMTH10H010SCT
MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
DMP3036SFV-13
MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
DMTH4007SPS-13
MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
