Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMT36M1LPS-13
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMT36M1LPS-13-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 65A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Hàng tồn kho:
1764 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12888193
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMT36M1LPS-13 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
65A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
16.7 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1155 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.6W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PowerDI5060-8
Gói / Trường hợp
8-PowerTDFN
Số sản phẩm cơ sở
DMT36
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
DMT36M1LPS-13DICT
DMT36M1LPS-13DIDKR
DMT36M1LPS-13-DG
DMT36M1LPS-13DITR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
FDMS7682
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
5880
DiGi SỐ PHẦN
FDMS7682-DG
ĐƠN GIÁ
0.23
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
PJQ5410_R2_00001
NHÀ SẢN XUẤT
Panjit International Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1574
DiGi SỐ PHẦN
PJQ5410_R2_00001-DG
ĐƠN GIÁ
0.18
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMT6007LFG-13
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
DMT10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
DMTH43M8LPS-13
MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
