Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMT6009LFG-13
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMT6009LFG-13-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 11A (Ta), 34A (Tc) 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Hàng tồn kho:
12897137
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMT6009LFG-13 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
11A (Ta), 34A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±16V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1925 pF @ 30 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PowerDI3333-8
Gói / Trường hợp
8-PowerVDFN
Số sản phẩm cơ sở
DMT6009
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
DMT6009LFG-13DI
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
DMT6009LFG-7
NHÀ SẢN XUẤT
Diodes Incorporated
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
4168
DiGi SỐ PHẦN
DMT6009LFG-7-DG
ĐƠN GIÁ
0.37
Loại thay thế
Parametric Equivalent
SỐ PHẦN
BSZ110N06NS3GATMA1
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
16802
DiGi SỐ PHẦN
BSZ110N06NS3GATMA1-DG
ĐƠN GIÁ
0.30
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TSM13N50ACI C0G
MOSFET N-CH 500V 13A ITO220AB
TSM085N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
TSM250N02CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
