Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMT6010SCT
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMT6010SCT-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 98A (Tc) 2.3W (Ta), 104W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
47 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12882211
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
VAZs
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMT6010SCT Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
98A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
36.3 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1940 pF @ 30 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.3W (Ta), 104W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
DMT6010
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
DMT6010SCTDI-5
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IXTP120N075T2
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
44
DiGi SỐ PHẦN
IXTP120N075T2-DG
ĐƠN GIÁ
1.69
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
FDP070AN06A0
NHÀ SẢN XUẤT
Fairchild Semiconductor
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
767
DiGi SỐ PHẦN
FDP070AN06A0-DG
ĐƠN GIÁ
1.09
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMN62D0UT-7
MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523
DMNH6042SPD-13
MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
DMN10H700S-13
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
