Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMTH10H010LCT
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMTH10H010LCT-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220-3
Hàng tồn kho:
41 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12888717
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMTH10H010LCT Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
108A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
53.7 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2592 pF @ 50 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.4W (Ta), 166W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220-3
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
DMTH10
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
DMTH10H010LCTDI-5
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
IXFP130N10T2
NHÀ SẢN XUẤT
IXYS
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
IXFP130N10T2-DG
ĐƠN GIÁ
3.09
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
CSD19503KCS
NHÀ SẢN XUẤT
Texas Instruments
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
390
DiGi SỐ PHẦN
CSD19503KCS-DG
ĐƠN GIÁ
0.67
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMP610DL-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R
DMN31D5L-13
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23 T&R
DMT6015LFV-7
MOSFET N-CH 60V PWRDI3333