Số sản phẩm của nhà sản xuất:
DMTH10H015SPSQ-13
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
DMTH10H015SPSQ-13-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 8.4A (Ta), 50.5A (Tc) 1.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Hàng tồn kho:
12895402
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
DMTH10H015SPSQ-13 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
6V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
30.1 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2343 pF @ 50 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.5W (Ta), 55W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PowerDI5060-8
Gói / Trường hợp
8-PowerTDFN
Số sản phẩm cơ sở
DMTH10
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
FDMS3662
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
29781
DiGi SỐ PHẦN
FDMS3662-DG
ĐƠN GIÁ
1.19
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
DMP45H4D9HK3-13
MOSFET P-CH 450V 4.7A TO252
TSM4NC60CI C0G
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB
DMTH4007SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
