VN10LP
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

VN10LP

Product Overview

Nhà sản xuất:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Số hiệu phần:

VN10LP-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92

Hàng tồn kho:

5433 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12903681
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

VN10LP Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
270mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
60 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
625mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-92
Gói / Trường hợp
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Số sản phẩm cơ sở
VN10

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
FVN10LP
VN10LP-NDR

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
fairchild-semiconductor

HUFA76429D3S

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

diodes

ZVN2535ASTZ

MOSFET N-CH 350V 90MA E-LINE

diodes

ZXMN7A11KTC

MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3

diodes

DMTH43M8LK3Q-13

MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252