Số sản phẩm của nhà sản xuất:
ZTX601QSTZ
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
ZTX601QSTZ-DG
Mô tả:
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 160 V 1 A 250MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Hàng tồn kho:
12979099
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
ZTX601QSTZ Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Box (TB)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN - Darlington
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
1 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
160 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
1.2V @ 10mA, 1A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
10µA
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
2000 @ 500mA, 10V
Công suất - Tối đa
1 W
Tần số - Chuyển đổi
250MHz
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 200°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
E-Line-3, Formed Leads
Gói thiết bị nhà cung cấp
E-Line (TO-92 compatible)
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
31-ZTX601QSTZTB
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
MMBT2907AQ-7-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
FZT956QTA
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223
BC847BTQ-7
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT52