ZVN3310ASTZ
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

ZVN3310ASTZ

Product Overview

Nhà sản xuất:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Số hiệu phần:

ZVN3310ASTZ-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 200mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Hàng tồn kho:

12906218
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

ZVN3310ASTZ Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
200mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
40 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
625mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
E-Line (TO-92 compatible)
Gói / Trường hợp
E-Line-3
Số sản phẩm cơ sở
ZVN3310

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
2,000
Tên khác
31-ZVN3310ASTZDKR
31-ZVN3310ASTZDKR-DG
31-ZVN3310ASTZCT
31-ZVN3310ASTZDKRINACTIVE
ZVN3310ASTZ-DG
31-ZVN3310ASTZTR

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
diodes

ZXMP10A18GTA

MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

vishay-siliconix

IRF9610PBF

MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR310TR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay-siliconix

IRF830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB