ZVN3310FTA
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

ZVN3310FTA

Product Overview

Nhà sản xuất:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Số hiệu phần:

ZVN3310FTA-DG

Mô tả:

MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 100mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Hàng tồn kho:

6862 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12905628
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

ZVN3310FTA Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
100mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
40 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
330mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-23-3
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
ZVN3310

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
BST82
MR
ZVN3310FTR-NDR
ZVN3310F
ZVN3310FTR
ZVN3310FCT-NDR
Q2955481
ZVN3310FCT
ZVN3310FDKR

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
vishay-siliconix

IRFD123PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

vishay-siliconix

IRFP32N50KPBF

MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3

littelfuse

IXTA08N100D2

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263