Số sản phẩm của nhà sản xuất:
ZXMN2A02X8TA
Product Overview
Nhà sản xuất:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Số hiệu phần:
ZXMN2A02X8TA-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOP
Mô tả chi tiết:
N-Channel 20 V 6.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP
Hàng tồn kho:
12906458
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
ZXMN2A02X8TA Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Diodes Incorporated
Đóng gói
-
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6.2A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
18.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1900 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.1W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-MSOP
Gói / Trường hợp
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
1034-ZXMN2A02X8CT
ZXMN2A02X8CT
1034-ZXMN2A02X8DKR
ZXMN2A02X8TR
ZXMN2A02X8CT-NDR
ZXMN2A02X8TR-NDR
ZXMN2A02X8DKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXTH54N30T
MOSFET N-CH 300V 54A TO247
IRFBC40SPBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IXFH24N80P
MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD