Số sản phẩm của nhà sản xuất:
KSD1408YTU
Product Overview
Nhà sản xuất:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
KSD1408YTU-DG
Mô tả:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 80
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 4 A 8MHz 25 W Through Hole TO-220F-3
Hàng tồn kho:
12762 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12946660
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
KSD1408YTU Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
4 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
80 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
1.5V @ 300mA, 3A
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
30µA (ICBO)
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 5V
Công suất - Tối đa
25 W
Tần số - Chuyển đổi
8MHz
Nhiệt độ hoạt động
150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220F-3
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
598
Tên khác
2156-KSD1408YTU
ONSONSKSD1408YTU
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
KSP92BU
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
BUV21G
SWITCHMODE NPN SILICON POWER TRA
MJ11028G
HIGH-CURRENT NPN SILICON POWER T