Số sản phẩm của nhà sản xuất:
2N5389
Product Overview
Nhà sản xuất:
General Semiconductor
DiGi Electronics Số hiệu phần:
2N5389-DG
Mô tả:
LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Mô tả chi tiết:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 7 A 175 W Stud Mount TO-61
Hàng tồn kho:
14 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12940579
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
2N5389 Thông số kỹ thuật
Danh mục
Transistor Bipolar (BJT), Transistor Bipolar Đơn
Nhà sản xuất
General Semiconductor (Vishay)
Đóng gói
Bulk
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại bóng bán dẫn
NPN
Dòng điện - Bộ thu (Ic) (Tối đa)
7 A
Điện áp - Sự cố bộ phát thu (Tối đa)
300 V
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic
-
Dòng điện - Cắt bộ thu (Tối đa)
-
Độ lợi dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce
-
Công suất - Tối đa
175 W
Tần số - Chuyển đổi
-
Nhiệt độ hoạt động
-65°C ~ 200°C (TJ)
Loại gắn kết
Stud Mount
Gói / Trường hợp
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-61
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1
Tên khác
2156-2N5389
GSIGSI2N5389
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
Not applicable
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
2SB1234-TB-E-SY
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
2N1650
TRANS NPN 80V 3A TO111
RQA0008AQS#H1
TRANS
