Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BSC0902NSATMA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BSC0902NSATMA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Hàng tồn kho:
8545 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12799416
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BSC0902NSATMA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
24A (Ta), 100A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1700 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TDSON-8-6
Gói / Trường hợp
8-PowerTDFN
Số sản phẩm cơ sở
BSC0902
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
5,000
Tên khác
BSC0902NSCT-DG
BSC0902NSATMA1TR
BSC0902NSTR-DG
IFEINFBSC0902NSATMA1
BSC0902NS
BSC0902NSDKR-DG
BSC0902NSCT
SP000800246
BSC0902NSATMA1DKR
BSC0902NSTR
BSC0902NSDKR
BSC0902NSATMA1CT
2156-BSC0902NSATMA1
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BSS84PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSS138N E6433
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
BSS192PH6327FTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
