Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BSS205NH6327XTSA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BSS205NH6327XTSA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Hàng tồn kho:
35030 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12826224
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BSS205NH6327XTSA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.2V @ 11µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
419 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-SOT23
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
BSS205
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
BSS205N H6327
BSS205NH6327XTSA1CT
BSS205NH6327XTSA1DKR
SP000929180
BSS205N H6327TR-DG
BSS205N H6327CT-DG
2156-BSS205NH6327XTSA1TR
BSS205N H6327DKR
BSS205N H6327DKR-DG
BSS205NH6327XTSA1TR
BSS205N H6327-DG
BSS205N H6327CT
BSS205NH6327
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
MCU80N06-TP
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
AUIRFR4620
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
2N7002F,215
MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
