Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BSS215PH6327XTSA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BSS215PH6327XTSA1-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Mô tả chi tiết:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Hàng tồn kho:
22188 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12799556
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BSS215PH6327XTSA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
20 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
1.5A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
2.5V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.2V @ 11µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
3.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±12V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
346 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500mW (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-SOT23
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
BSS215
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
BSS215P H6327CT
BSS215P H6327-DG
SP000928938
BSS215P H6327DKR
BSS215PH6327XTSA1CT
BSS215P H6327DKR-DG
BSS215P H6327TR-DG
BSS215PH6327XTSA1TR
BSS215P H6327CT-DG
BSS215PH6327XTSA1DKR
BSS215P H6327
BSS215PH6327
2156-BSS215PH6327XTSA1TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IPA093N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
IPA50R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220