Số sản phẩm của nhà sản xuất:
BSS87H6327FTSA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
BSS87H6327FTSA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Mô tả chi tiết:
N-Channel 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89-4-2
Hàng tồn kho:
25607 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12801056
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
y2Nv
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
BSS87H6327FTSA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
SIPMOS®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
240 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
260mA (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
6Ohm @ 260mA, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
1.8V @ 108µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
97 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-SOT89-4-2
Gói / Trường hợp
TO-243AA
Số sản phẩm cơ sở
BSS87
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
BSS87H6327FTSA1DKR
BSS87H6327FTSA1TR
BSS87H6327FTSA1CT
SP001047646
BSS87H6327FTSA1-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BSR802NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
