Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IPA65R095C7XKSA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IPA65R095C7XKSA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Mô tả chi tiết:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Hàng tồn kho:
384 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12803029
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IPA65R095C7XKSA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tube
Loạt
CoolMOS™ C7
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
650 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
12A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 590µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
34W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO220-FP
Gói / Trường hợp
TO-220-3 Full Pack
Số sản phẩm cơ sở
IPA65R095
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
500
Tên khác
2156-IPA65R095C7XKSA1
SP001080126
INFINFIPA65R095C7XKSA1
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
TK35A65W,S5X
NHÀ SẢN XUẤT
Toshiba Semiconductor and Storage
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
13
DiGi SỐ PHẦN
TK35A65W,S5X-DG
ĐƠN GIÁ
3.02
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRF3205STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
IPW60R160P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
IRF7353D1PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
