Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IPB017N06N3GATMA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IPB017N06N3GATMA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Mô tả chi tiết:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Hàng tồn kho:
9000 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12800328
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IPB017N06N3GATMA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
60 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
180A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 196µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
23000 pF @ 30 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
250W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO263-7
Gói / Trường hợp
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Số sản phẩm cơ sở
IPB017
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
SP000434404
IPB017N06N3 G
IPB017N06N3G
IPB017N06N3 GCT
IPB017N06N3 GCT-DG
IPB017N06N3 G-DG
IPB017N06N3GATMA1DKR
IPB017N06N3 GTR-DG
IPB017N06N3GATMA1TR
IPB017N06N3 GDKR
IPB017N06N3 GTR
IPB017N06N3GATMA1CT
IPB017N06N3 GDKR-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
BSF045N03MQ3 G
MOSFET N-CH 30V 18A/63A 2WDSON
IPC045N10L3X1SA1
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
