Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IPB180N10S402ATMA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IPB180N10S402ATMA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Hàng tồn kho:
1594 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12803800
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
qArK
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IPB180N10S402ATMA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
180A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 275µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
14600 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
300W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Lớp
Automotive
Trình độ chuyên môn
AEC-Q101
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO263-7-3
Gói / Trường hợp
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Số sản phẩm cơ sở
IPB180
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
IPB180N10S402ATMA1DKR
IPB180N10S402ATMA1CT
IPB180N10S402ATMA1-DG
IPB180N10S402ATMA1TR
SP001057184
INFINFIPB180N10S402ATMA1
2156-IPB180N10S402ATMA1
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRF3808PBF
MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
IPI70N10S312AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
IRFU4105
MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
