Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IPB70N10S312ATMA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IPB70N10S312ATMA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Hàng tồn kho:
764 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12800860
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
iWDr
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IPB70N10S312ATMA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
70A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 83µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4355 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
125W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO263-3-2
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
IPB70N10
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
1,000
Tên khác
IPB70N10S312ATMA1TR
IPB70N10S3-12
IPB70N10S3-12INTR
SP000261246
IPB70N10S3-12INCT-DG
IPB70N10S312ATMA1CT
IPB70N10S312ATMA1DKR
IPB70N10S3-12INTR-DG
IPB70N10S312
IPB70N10S3-12INDKR-DG
IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INDKR
IPB70N10S3-12-DG
2156-IPB70N10S312ATMA1TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IPB80N06S2LH5ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
BSS169L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPD127N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
