Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IPD090N03LGATMA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IPD090N03LGATMA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Hàng tồn kho:
94138 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12801029
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IPD090N03LGATMA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
40A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1600 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
42W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO252-3-11
Gói / Trường hợp
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Số sản phẩm cơ sở
IPD090
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
IPD090N03LGINCT
IPD090N03LGXT
IPD090N03LGINDKR
IPD090N03LGINDKR-DG
IPD090N03LGATMA1CT
IPD090N03LGINTR-DG
IPD090N03LGINCT-DG
IPD090N03LGATMA1TR
INFINFIPD090N03LGATMA1
IPD090N03LGATMA1DKR
2156-IPD090N03LGATMA1
IPD090N03L G
IPD090N03LGINTR
SP000680636
IPD090N03LG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IPB80N06S2L06ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
BSP322PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4