IPL65R160CFD7AUMA1
Số sản phẩm của nhà sản xuất:

IPL65R160CFD7AUMA1

Product Overview

Nhà sản xuất:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Số hiệu phần:

IPL65R160CFD7AUMA1-DG

Mô tả:

COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Mô tả chi tiết:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

Hàng tồn kho:

12974552
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI

IPL65R160CFD7AUMA1 Thông số kỹ thuật

Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
CoolMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
650 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
17A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
160mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 320µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1283 pF @ 400 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
98W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-VSON-4
Gói / Trường hợp
4-PowerTSFN

Tài liệu và Hồ sơ

Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML

Thông tin bổ sung

Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
448-IPL65R160CFD7AUMA1DKR
448-IPL65R160CFD7AUMA1TR
SP005559258
448-IPL65R160CFD7AUMA1CT

Phân loại Môi trường & Xuất khẩu

Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
2A (4 Weeks)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
onsemi

NDS7002A-F169

MOSFET N-CH SOT23

onsemi

NVTYS010N06CLTWG

T6 60V N-CH LL IN LFPAK33

alpha-and-omega-semiconductor

AO3496

MOSFET N-CH SOT-23

goford-semiconductor

GT110N06S

N60V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<1