Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IPN60R1K0CEATMA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IPN60R1K0CEATMA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Hàng tồn kho:
12818273
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IPN60R1K0CEATMA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
CoolMOS™ CE
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
6.8A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 130µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
280 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
5W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-SOT223-3
Gói / Trường hợp
TO-261-4, TO-261AA
Số sản phẩm cơ sở
IPN60R1
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
IPN60R1K0CEATMA1-DG
2156-IPN60R1K0CEATMA1TR
SP001434884
IPN60R1K0CEATMA1CT
IPN60R1K0CEATMA1DKR
IPN60R1K0CEATMA1TR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
CSD18502KCS
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
IRF6629TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
IRFR9120NTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK