Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IPP041N04NGXKSA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IPP041N04NGXKSA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Hàng tồn kho:
531 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12803696
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IPP041N04NGXKSA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tube
Loạt
OptiMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
40 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
80A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 45µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
4500 pF @ 20 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
94W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO220-3-1
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
IPP041
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
SP000680790
IPP041N04N G-DG
2156-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NGXKSA1-DG
IPP041N04N G
448-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IPD50N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
IPD25CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
