Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IPP60R099C7XKSA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IPP60R099C7XKSA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Hàng tồn kho:
13064022
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IPP60R099C7XKSA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tube
Loạt
CoolMOS™ C7
Đóng gói
Tube
Trạng thái bộ phận
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
22A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 490µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1819 pF @ 400 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
110W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO220-3-1
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
IPP60R099
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
SP001298000
448-IPP60R099C7XKSA1
IPP60R099C7XKSA1-ND
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
FCP099N65S3
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
FCP099N65S3-DG
ĐƠN GIÁ
2.57
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
IPZ60R099C7XKSA1
NHÀ SẢN XUẤT
Infineon Technologies
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
0
DiGi SỐ PHẦN
IPZ60R099C7XKSA1-DG
ĐƠN GIÁ
3.21
Loại thay thế
Parametric Equivalent
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IPD50N06S4L08ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
IPF09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
BSZ033NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
