Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRF3709STRLPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRF3709STRLPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Hàng tồn kho:
13064105
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRF3709STRLPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
-
Loạt
HEXFET®
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Trạng thái bộ phận
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
90A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2672 pF @ 16 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
D2PAK
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
SP001559576
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
PSMN4R3-30BL,118
NHÀ SẢN XUẤT
Nexperia USA Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
9945
DiGi SỐ PHẦN
PSMN4R3-30BL,118-DG
ĐƠN GIÁ
0.58
Loại thay thế
MFR Recommended
SỐ PHẦN
PSMN017-30BL,118
NHÀ SẢN XUẤT
Nexperia USA Inc.
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
1868
DiGi SỐ PHẦN
PSMN017-30BL,118-DG
ĐƠN GIÁ
0.37
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRF2204LPBF
MOSFET N-CH 40V 170A TO262
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
IRF7807VD1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
