Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRF6775MTRPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRF6775MTRPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Mô tả chi tiết:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Hàng tồn kho:
13349 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12804047
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRF6775MTRPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
150 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
56mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1411 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
DIRECTFET™ MZ
Gói / Trường hợp
DirectFET™ Isometric MZ
Số sản phẩm cơ sở
IRF6775
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,800
Tên khác
IRF6775MTRPBFCT
IRF6775MTRPBFDKR
IRF6775MTRPBFTR
SP001562042
IRF6775MTRPBF-DG
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRF8113
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IRF300P226
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
