Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRF7329TRPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRF7329TRPBF-DG
Mô tả:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Mô tả chi tiết:
Mosfet Array 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Hàng tồn kho:
25277 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12810711
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRF7329TRPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Mảng
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Cấu hình
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
12V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
9.2A
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
900mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
3450pF @ 10V
Công suất - Tối đa
2W
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SO
Số sản phẩm cơ sở
IRF732
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
IRF7329PBFTR
Q2720362
IRF7329PBFCT
IRF7329PBFDKR
SP001566104
*IRF7329TRPBF
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
TC8220K6-G
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
