Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRF8736TRPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRF8736TRPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Mô tả chi tiết:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Hàng tồn kho:
11359 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12809107
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRF8736TRPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
30 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
18A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.35V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2315 pF @ 15 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
2.5W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-SO
Gói / Trường hợp
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Số sản phẩm cơ sở
IRF8736
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
IRF8736TRPBFCT
IRF8736TRPBFDKR
SP001551638
IRF8736TRPBFTR
2156-IRF8736TRPBFTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TN0106N3-G-P003
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
IRF6613TR1PBF
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
