Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRFB3077PBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRFB3077PBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Mô tả chi tiết:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Hàng tồn kho:
4119 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12806064
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRFB3077PBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tube
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
75 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
120A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
9400 pF @ 50 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
370W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220AB
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Số sản phẩm cơ sở
IRFB3077
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Tên khác
IFEINFIRFB3077PBF
2156-IRFB3077PBFINF
64-0091PBF-DG
SP001575594
64-0091PBF
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IPU50R3K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
VN0106N3-G-P003
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
IRF8252TRPBF
MOSFET N-CH 25V 25A 8SO
