Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRFH7187TRPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRFH7187TRPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 18A/105A 8PQFN
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 18A (Ta), 105A (Tc) 3.8W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Hàng tồn kho:
12804676
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRFH7187TRPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
-
Loạt
FASTIRFET™, HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
18A (Ta), 105A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.6V @ 150µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2116 pF @ 50 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.8W (Ta), 132W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
8-PQFN (5x6)
Gói / Trường hợp
8-PowerVDFN
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
SP001566852
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
STL100N10F7
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
88704
DiGi SỐ PHẦN
STL100N10F7-DG
ĐƠN GIÁ
0.98
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IPB60R199CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
IRF1407STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
IRFS4310ZPBF
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
