Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRFL024NTRPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRFL024NTRPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Mô tả chi tiết:
N-Channel 55 V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Hàng tồn kho:
7355 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12804102
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRFL024NTRPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
55 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
2.8A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
75mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
400 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
SOT-223
Gói / Trường hợp
TO-261-4, TO-261AA
Số sản phẩm cơ sở
IRFL024
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
2,500
Tên khác
IRFL024NTRPBFDKR
SP001575806
IRFL024NTRPBF-DG
IRFL024NTRPBFCT
IRFL024NTRPBFTR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IPU50R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3
IRFI4110GPBF
MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP
IRFR3707PBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
