Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRL80HS120
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRL80HS120-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Mô tả chi tiết:
N-Channel 80 V 12.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Hàng tồn kho:
35804 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12806219
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRL80HS120 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
80 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
12.5A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
32mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 10µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
540 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
11.5W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Gói / Trường hợp
6-PowerVDFN
Số sản phẩm cơ sở
IRL80HS120
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
4,000
Tên khác
SP001592838
IRL80HS120TR
IRL80HS120CT
IRL80HS120DKR
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRLR4343TRRPBF
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
