Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRLML6401TRPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRLML6401TRPBF-DG
Mô tả:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Mô tả chi tiết:
P-Channel 12 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Hàng tồn kho:
40009 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12807082
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRLML6401TRPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
P-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
12 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
4.3A (Ta)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
1.8V, 4.5V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
950mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
830 pF @ 10 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
1.3W (Ta)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
Micro3™/SOT-23
Gói / Trường hợp
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Số sản phẩm cơ sở
IRLML6401
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài nguyên thiết kế
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
3,000
Tên khác
IRLML6401GTRPBF-DG
IRLML6401GTRPBF
IRLML6401PBFCT
SP001577044
IRLML6401GTRPBFCT
IRLML6401GTRPBFTR
IRLML6401GTRPBFDKR
IRLML6401GTRPBFCT-DG
IRLML6401GTRPBFDKR-DG
IRLML6401GTRPBFTR-DG
IRLML6401PBFDKR
SP001568584
IRLML6401PBFTR
*IRLML6401TRPBF
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRL5602STRR
MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
IRFSL3107PBF
MOSFET N-CH 75V 195A TO262
IRF9520NSTRL
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
