Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRLS4030TRLPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRLS4030TRLPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK
Hàng tồn kho:
1350 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12806748
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRLS4030TRLPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
180A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4.5V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
130 nC @ 4.5 V
Vgs (Tối đa)
±16V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
11360 pF @ 50 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
370W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
D2PAK
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
IRLS4030
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
SP001552944
ROCINFIRLS4030TRLPBF
IRLS4030TRLPBFTR
IRLS4030TRLPBFDKR
IRLS4030TRLPBFCT
2156-IRLS4030TRLPBF
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
SPB02N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
SPP20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
SPD50N03S207GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
