Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRLU120NPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRLU120NPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Hàng tồn kho:
9600 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12808402
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRLU120NPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tube
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Not For New Designs
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
100 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
10A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
185mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±16V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
440 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
48W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
IPAK (TO-251AA)
Gói / Trường hợp
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Số sản phẩm cơ sở
IRLU120
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài nguyên thiết kế
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
75
Tên khác
SP001567330
*IRLU120NPBF
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
STU6NF10
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
3000
DiGi SỐ PHẦN
STU6NF10-DG
ĐƠN GIÁ
0.32
Loại thay thế
MFR Recommended
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRF6607TR1
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
TN2124K1-G
MOSFET N-CH 240V 134MA TO236AB
IRFR5505TRLPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
