Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRLZ34NSTRLPBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRLZ34NSTRLPBF-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Mô tả chi tiết:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Hàng tồn kho:
30084 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12807161
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRLZ34NSTRLPBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tape & Reel (TR)
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
55 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
30A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
4V, 10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
35mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
25 nC @ 5 V
Vgs (Tối đa)
±16V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
880 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
D2PAK
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
IRLZ34
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Tài nguyên thiết kế
Tài liệu dữ liệu
Bảng dữ liệu HTML
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
800
Tên khác
IRLZ34NSTRLPBFDKR
IRLZ34NSTRLPBF-DG
IRLZ34NSTRLPBFTR
SP001573060
IRLZ34NSTRLPBFCT
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IRFB4321PBF
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
IRLU3705Z
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
IRFP1405
MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
