Số sản phẩm của nhà sản xuất:
SPW20N60C3FKSA1
Product Overview
Nhà sản xuất:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Số hiệu phần:
SPW20N60C3FKSA1-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Mô tả chi tiết:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Hàng tồn kho:
2123 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12807451
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
SPW20N60C3FKSA1 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Infineon Technologies
Đóng gói
Tube
Loạt
CoolMOS™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
650 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
20.7A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
3.9V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
208W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
PG-TO247-3-1
Gói / Trường hợp
TO-247-3
Số sản phẩm cơ sở
SPW20N60
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Tên khác
2156-SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN-NDR
SPW20N60C3XK
SPW20N60C3IN-DG
SP000013729
SPW20N60C3
SPW20N60C3FKSA1-DG
SPW20N60C3IN
448-SPW20N60C3FKSA1
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
SPU04N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251-3
SPD04N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
SPU02N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
