Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IRF1407PBF
Product Overview
Nhà sản xuất:
International Rectifier
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IRF1407PBF-DG
Mô tả:
IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Mô tả chi tiết:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Hàng tồn kho:
1150 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12946794
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IRF1407PBF Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Đóng gói
Bulk
Loạt
HEXFET®
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
75 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
130A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
330W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-220AB
Gói / Trường hợp
TO-220-3
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
236
Tên khác
INFIRFIRF1407PBF
2156-IRF1407PBF
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
HTSUS
0000.00.0000
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
FDFMA2P853
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
FCPF380N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP3N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
