Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXFA22N60P3
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXFA22N60P3-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Hàng tồn kho:
12821037
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXFA22N60P3 Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
HiPerFET™, Polar3™
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
22A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
390mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 1.5mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
500W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Surface Mount
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-263AA (IXFA)
Gói / Trường hợp
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Số sản phẩm cơ sở
IXFA22
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
50
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Các Mô Hình Thay Thế
SỐ PHẦN
FCB11N60TM
NHÀ SẢN XUẤT
onsemi
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
135
DiGi SỐ PHẦN
FCB11N60TM-DG
ĐƠN GIÁ
1.43
Loại thay thế
Similar
SỐ PHẦN
STB18N60DM2
NHÀ SẢN XUẤT
STMicroelectronics
SỐ LƯỢNG CÓ SẴN
2125
DiGi SỐ PHẦN
STB18N60DM2-DG
ĐƠN GIÁ
1.14
Loại thay thế
Similar
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXFX50N50
MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247-3
MMIX1T550N055T2
MOSFET N-CH 55V 550A 24SMPD
IXTH02N250
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
