Số sản phẩm của nhà sản xuất:
IXFH16N120P
Product Overview
Nhà sản xuất:
IXYS
DiGi Electronics Số hiệu phần:
IXFH16N120P-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Mô tả chi tiết:
N-Channel 1200 V 16A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Hàng tồn kho:
998 Số lượng mới, nguyên bản, có sẵn
12821830
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
IXFH16N120P Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Littelfuse
Đóng gói
Tube
Loạt
HiPerFET™, Polar
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
1200 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
16A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
950mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
6.5V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
6900 pF @ 25 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
660W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-247AD (IXFH)
Gói / Trường hợp
TO-247-3
Số sản phẩm cơ sở
IXFH16
Tài liệu và Hồ sơ
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
30
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
IXTH150N15X4
MOSFET N-CH 150V 150A TO247
IXTH110N10L2
MOSFET N-CH 100V 110A TO247
IXTF6N200P3
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
